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 　　電阻率是反映半導體材料導電性能的重要參數之一。測量電阻率的方法很多，四探針法是一種廣泛采用的標準方法。它的優點是設備簡單、操作方便，度高，對樣品的形狀無嚴格要求。

　　電阻率測試儀是用來測量半導體材料及工藝硅片的電阻率，或擴散層及外延層方塊電阻的測量儀器。一般的四探針電阻率測試儀均已配置厚度的修正，通過厚度數值的設置，計算出不同的樣品厚度對電阻率的影響。

　　四探針電阻率測試儀檢定的技術要求

　　1、整體方法檢定電阻率測試儀的標準樣片，表面應沒有任何臟物，長期使用應注意定期清洗(按標準樣片使用說明中規定的方法清洗)，以保持樣片表面的清潔。

　　*測量時用表中所列的樣片，如發現電流表示值調不上去或其中有一個表示值超過zui大值時，則需要更換一個名義值較大的標準樣片。如1Ω·cm需換成5Ω·cm。

　　2、用模擬電路法檢定四探針測試儀電氣部分的V/I比時，電阻r和R有如下要求。

　　模擬電路法的電阻計算公式如下：

　　式中：Vav-電流正反向測量r上電壓降的平均值;

　　Rs-標準電阻值;

　　Vsv-標準電阻上的電壓降平均值;

　　Iav-正反向電流的平均值。

　　3、各種型號的四探針電阻率測試儀技術指標，應符合出廠技術說明書的要求。

　　四探針電阻率測試儀的檢定環境條件

　　電阻率測試儀的檢定應在恒溫清潔室內進行。檢定前，儀器和所用的標準儀器設備應在恒溫室內旋轉12h以上。在檢定過程中發現有靜電感應或泄漏電流的現象，則應采取相應的屏蔽或接地措施消除。