粉末方阻測試儀主要由主機、測試架及四探針頭組成本儀器的特點是主機配置雙數字表，在測量電阻率的同時，另一塊數字表適時監測全程的電流變化，免除了測量電流/測量電阻率的轉換，更及時掌控測量電流。主機還提供精度為0.05%的恒流源，使測量電流高度穩定。本機配有恒流源開關，在測量某些箔層材料時，可免除探針尖與被測材料之間接觸火花的發生，更好地保護箔膜。
粉末方阻測試儀所有參數設定、功能轉換全部采用數字化鍵盤輸入;具有零位、滿度自校功能;自動轉換量程;測試探頭采用寶石導向軸套和高耐磨碳化鎢探針制成，故定位準確、游移率小、壽命長;測試結果由數字表頭直接顯示。
粉末方阻測試儀可測量半導體材料硅鍺棒、塊、片、導電薄膜等。測量方式：平面測量。電壓表采用雙數字電壓表，可同時觀察電流、電壓變化。
粉末方阻測試儀的恒流源：
A.電流輸出：直流電流0.003～100 mA連續可調，有交流電源供給
B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五檔
C.恒流源精度：各檔均≤±0.05%
粉末方阻測試儀的測量系統
KDY測量系統設計語言：VC++，可對四探針、兩探針電阻率測量數據進行處理并修正測量數據，特定數據存儲格式，顯示變化曲線。
兼容性：適用于通用電腦，支持Windows XP。
粉末方阻測試儀的四探針頭介紹：
A.探頭間距1.59㎜
B.探針機械游率：±0.3%
C.探針直徑0.8㎜
D.探針材料：碳化鎢，探針間及探針與其他部分之間的絕緣電阻大于109歐姆。
測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)、定向結晶多晶硅的電阻率，測定硅外延層、擴散層和離子注入層以及導電玻璃(ITO)和其它導電薄膜的方塊電阻測量。
探針間距1.00mm的探針頭適合測量直徑小于50mm的的直徑單晶片。探針間距1.59mm的探針頭相對精度高，在SEMI標準中為仲裁探針頭，適合測量直徑大于50mm的的大直徑單晶片，因為探針直徑較粗更加耐磨且不易斷針，所以尤其適合測量硅、鍺單晶棒、塊。
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